明导：鳍式场效晶体管寄生提取的复杂性“大发彩票-购彩大厅”

，电子设计自动化技术的领导厂商MentorGraphics近日公布一份为题《鳍式场效晶体管宿主萃取的复杂性》的研究报告。作者为CareyRobertson，产品营销、电路布局检验和参数萃取总监，DesigntoSilicon部门。　　CareyRobertson是明导产品营销总监，负责管理CalibrePERC、LVS和萃取产品的营销活动。他已在明导供职15年，兼任过各种产品和技术营销职位。

加盟明导之前，Carey是迪吉多(DigitalEquipmentCorp.)的设计工程师，致力于微处理器设计。Carey持有人斯坦福大学(StanfordUniversity)学士学位和加州大学伯克利分校(UCBerkeley)硕士学位。　　鳍式场效晶体管（全称finFET）的发售标志着CMOS晶体管首次被看做是确实的三维器件。由于源漏区以及与其周围相连的三维结构方式（还包括本地点对点和认识通孔），造成了复杂性和不确定性。

　　结果，器件建模被迫较慢改良。UCBerkeleyDeviceGroup的BSIMGroup研发出有了一种取名为BSIM-CMG（标准化多栅极）的模型，借以回应不存在于finFET内部的电阻和电容。

为了协助减轻有关向finFET工艺改变的忧虑，晶圆厂做到了十分大的希望来获取器件和宿主精度数据，以及留存用作先前工艺的用于模型。　　虽然我们有BSIM-CMG作为回应finFET设计参数的标准化方式，但各个晶圆厂不会减少或增加标准模型的组件，以便需要更加精确地代表其周围的宿主效应。这种自定义化受到多方面的推展,还包括各家晶圆厂用于各自的器件和宿主参数模型来与硅检验结果给定，以及用于电子设计自动化(EDA)工具来预测硅片上的结果。

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